Des chercheurs du Georgia Institute of Technology ont développé un nouveau type de mémoire flash NAND nettement plus résistant aux radiations, ce qui le rend adapté aux missions spatiales lointaines. La technologie, appelée mémoire flash NAND ferroélectrique, stocke les données en utilisant la polarisation du matériau plutôt que la charge électrique piégée, qui est vulnérable aux dommages causés par les radiations.
Selon l'étude, la nouvelle mémoire peut résister jusqu'à 1 million de rads de radiation, soit environ 30 fois plus que la mémoire flash NAND standard. Ce niveau de tolérance aux radiations est essentiel pour les engins spatiaux et les satellites opérant dans des environnements à haute radiation au-delà de la magnétosphère protectrice de la Terre.
La recherche a été dirigée par le professeur Asif Khan et son équipe à l'École de génie électrique et informatique de Georgia Tech. Les résultats ont été publiés dans la revue Nature Electronics le 18 mai 2026. L'équipe a démontré que le matériau ferroélectrique, l'oxyde de zirconium et d'hafnium (HZO), conserve son état de polarisation même après une exposition à des niveaux élevés de rayonnement ionisant.
Cette avancée pourrait permettre un stockage de données plus fiable pour les missions spatiales de longue durée, comme celles vers Mars ou les planètes extérieures, où les niveaux de radiation sont beaucoup plus élevés qu'en orbite terrestre basse. La technologie a également des applications potentielles dans les centrales nucléaires et les dispositifs médicaux nécessitant une électronique durcie contre les radiations.
L'équipe de Georgia Tech travaille maintenant à la mise à l'échelle de la technologie pour une production commerciale et prévoit de tester la mémoire dans un environnement spatial au cours des deux prochaines années.
